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数量:8950 |
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| 规格书 |
 VEC2315 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 137 mOhm @ 1.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 11nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 420pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SMD, Flat Lead |
| 供应商器件封装 | 8-VEC |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.5A |
| 供应商设备封装 | 8-VEC |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 137 mOhm @ 1.5A, 10V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 420pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 2.5 A |
| RDS（ON） | 137 mOhms |
| 功率耗散 | 1 W |
| 封装/外壳 | VEC-8 |
| 漏源击穿电压 | - 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 60 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 系列 | VEC2315 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | - 2.5 A |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 通道数 | 2 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 137 mOhms |
| 技术 | Si |
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